BSS123IXTSA1 vs IRLML2060TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS123IXTSA1 מאת Infineon ו IRLML2060TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSS123IXTSA1 | IRLML2060TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS Small-Signal | IR HEXFET (Trench Gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 190 mA | 1.2 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | 1.25 W |
| RDS(on) (typical, VGS=10 V) | 2.4 ohm | — |
| RDS(on) (max per family datasheet) | 6 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | 1.8 V typical |
| מארז | PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) | SOT-23 (Micro3, 3-pin) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (per family datasheet) | — |
| Qualification | Industrial | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per distributor listing) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 |
| Gate Drive Logic Level | Logic-level compatible | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 4.8 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 12 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 480 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 650 mOhm (typical 580 mOhm) |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | — | 100 C/W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Yes |