BSS123IXTSA1 vs IRLML2060TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS123IXTSA1 بذریعہ Infineon اور IRLML2060TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS123IXTSA1 IRLML2060TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA 1.2 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW 1.25 W
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1.8 V typical
پیکیج PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 12 V
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں