BSS169H6327XTSA1 vs 2N7002L তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS169H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও 2N7002L নির্দিষ্ট onsemi. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS169H6327XTSA1 | 2N7002L |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | onsemi |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 mA (Ta) | 115 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | 200 mW (Ta), 225 mW max |
| RDS(on) Maximum | 6 Ohm at VGS=0 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) | 1 V to 2.5 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23 (SOT-23-3) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 3 | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | Depletion-mode vertical DMOS | High cell density trench MOSFET |
| Drain Current at 25C | 170 mA continuous | — |
| Typical RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 7.5 ohm max at VGS = 5V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Configuration | — | Single FET |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged and reliable |
| Gate Drive | — | 5V logic-level enhancement mode |
| Typical Applications | — | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting |
| Manufacturer | — | onsemi |