BSS169H6327XTSA1 vs 2N7002L موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS169H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور 2N7002L بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS169H6327XTSA1 2N7002L
برانڈ Infineon onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) 1 V to 2.5 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS High cell density trench MOSFET
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں