BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS308PEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS806NEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS308PEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
ট্রানজিস্টর টাইপ P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 2.3 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
প্যাকেজ / কেস PG-SOT23 (SOT-23-3) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিনের সংখ্যা 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
Mode of Operation — Enhancement-mode
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
প্যাকেজ — PG-SOT23 (SOT-23-3)
পিন সংখ্যা — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট