BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS308PEH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSS806NEH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS308PEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
סוג טרנזיסטור P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 2.3 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז / Case PG-SOT23 (SOT-23-3) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
סטטוס RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
Mode of Operation — Enhancement-mode
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
מארז — PG-SOT23 (SOT-23-3)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר