BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS308PEH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS806NEH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS308PEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Kiểu transitor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 2.3 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp / Vỏ PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
Trạng thái RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
Mode of Operation — Enhancement-mode
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Hộp — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá