BSS83PH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS83PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS308PEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS83PH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +150 C | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | AEC-Q101 Automotive |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| পিনের সংখ্যা | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |