BSS83PH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS83PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS308PEH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS83PH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | AEC-Q101 Automotive |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| Kiểu transitor | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C |
| Hộp / Vỏ | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Số lượng chân | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |