BSS83PH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS83PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS308PEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS83PH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 330 mA —
Pulsed Drain Current (IDM) 1.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 2.0 ohm (max) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -2.5 V (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 360 mW —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade per Infineon AEC-Q101 Automotive
Process Technology SIPMOS / OptiMOS —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Transistor Türü — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C
Paket / Kas — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Pin Sayısı — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin