BSS83PH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS83PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS83PH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 330 mA —
Pulsed Drain Current (IDM) 1.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 2.0 ohm (max) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -2.5 V (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 360 mW —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade per Infineon AEC-Q101 Automotive
Process Technology SIPMOS / OptiMOS —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C
پیکیج / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
پنز کی تعداد — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں