BSZ065N03LSATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ065N03LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPG20N06S2L65AATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSZ065N03LSATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS Trench MOSFET |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | — |
| MSL লেভেল | 1 | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| প্যাকেজ | — | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |