BSZ065N03LSATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ065N03LSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N06S2L65AATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ065N03LSATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| پیکیج / کیس | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS Trench MOSFET |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | — |
| MSL لیول | 1 | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |