BSZ065N03LSATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ065N03LSATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S2L65AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ065N03LSATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Paket / Kas | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS Trench MOSFET |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| MSL Seviyesi | 1 | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| Paket | — | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |