CGD65A130S2 vs CGD65A130SH2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা CGD65A130S2 নির্দিষ্ট Cambridge GaN Devices ও CGD65A130SH2 নির্দিষ্ট Cambridge GaN Devices. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 ✓ সক্রিয়
Cambridge GaN Devices
CGD65A130SH2 CGD65A130SH2 - 650V GaN HEMT 12A 55mΩ ICeGaN | Cambridge GaN Devices

CGD65A130SH2 - 650V GaN HEMT 12A 55mΩ ICeGaN | Cambridge GaN Devices

CGD65A130SH2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার CGD65A130S2 CGD65A130SH2
ব্র্যান্ড Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Cambridge GaN Devices —
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate) GaN-on-Si with ICeGaN® gate
Drain-Source Voltage (VDS, max) 650 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 130 mΩ (typ) —
Continuous Drain Current (ID) [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C] 12 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Gate Charge (Qg, total) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (GaN - negligible) Near zero (GaN intrinsic; datasheet figure)
Gate-Source Voltage Rating ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet) —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -40°C to +150°C —
প্যাকেজ DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad 16-DFN (8x8 mm) with exposed thermal pad
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Integrated Features Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3 (typical for 16-DFN GaN packages)
ট্রানজিস্টর টাইপ — GaN HEMT, N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ (typical)
Gate Threshold — ICeGaN® 5 V compatible gate-threshold window
Current Sense Pin — Integrated CS output (digital/analog ratio) with NL³ circuit
Switching Frequency Suitability — Up to several MHz (typical GaN-HEMT range)
অপারেটিং তাপমাত্রা — [DATA_NEEDED: full -40C to +150C TJ range]
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট