CGD65A130S2 vs CGD65A130SH2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65A130S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65A130SH2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Cambridge GaN Devices
CGD65A130SH2 - 650V GaN HEMT 12A 55mΩ ICeGaN | Cambridge GaN Devices
CGD65A130SH2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | CGD65A130S2 | CGD65A130SH2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | — |
| Technology | GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate) | GaN-on-Si with ICeGaN® gate |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | 650 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 130 mΩ (typ) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C] | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Gate Charge (Qg, total) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (GaN - negligible) | Near zero (GaN intrinsic; datasheet figure) |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -40°C to +150°C | — |
| پیکیج | DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad | 16-DFN (8x8 mm) with exposed thermal pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Features | Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL3 (typical for 16-DFN GaN packages) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | GaN HEMT, N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 55 mΩ (typical) |
| Gate Threshold | — | ICeGaN® 5 V compatible gate-threshold window |
| Current Sense Pin | — | Integrated CS output (digital/analog ratio) with NL³ circuit |
| Switching Frequency Suitability | — | Up to several MHz (typical GaN-HEMT range) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: full -40C to +150C TJ range] |
| ہیلوجن فری | — | Yes |