CGD65A130S2 vs CGD65A130SH2 So sánh
So sánh chi tiết song song của CGD65A130S2 bằng Cambridge GaN Devices và CGD65A130SH2 bằng Cambridge GaN Devices. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 ✓ Hoạt độngCambridge GaN Devices
CGD65A130SH2 - 650V GaN HEMT 12A 55mΩ ICeGaN | Cambridge GaN Devices
CGD65A130SH2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | CGD65A130S2 | CGD65A130SH2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | — |
| Technology | GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate) | GaN-on-Si with ICeGaN® gate |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | 650 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 130 mΩ (typ) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C] | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Gate Charge (Qg, total) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (GaN - negligible) | Near zero (GaN intrinsic; datasheet figure) |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -40°C to +150°C | — |
| Hộp | DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad | 16-DFN (8x8 mm) with exposed thermal pad |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Features | Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL3 (typical for 16-DFN GaN packages) |
| Kiểu transitor | — | GaN HEMT, N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 55 mΩ (typical) |
| Gate Threshold | — | ICeGaN® 5 V compatible gate-threshold window |
| Current Sense Pin | — | Integrated CS output (digital/analog ratio) with NL³ circuit |
| Switching Frequency Suitability | — | Up to several MHz (typical GaN-HEMT range) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: full -40C to +150C TJ range] |
| Đông trùng haogen | — | Yes |