H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NDJR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NAFR-PBC নির্দিষ্ট SK hynix ও H5AN8G6NDJR নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| ইন্টারফেস টাইপ | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| প্যাকেজ | TFBGA-96 (rectangular) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Composition | CMOS | — |
| ডেটা রেট | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS লেটেন্সি | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |