H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NDJR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-PBC توسط SK hynix و H5AN8G6NDJR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| نوع رابط | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| بسته‌بندی | TFBGA-96 (rectangular) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Composition | CMOS | — |
| نرخ داده | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| تأخیر CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |