H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NDJR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR-PBC מאת SK hynix ו H5AN8G6NDJR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| סוג ממשק | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| מארז | TFBGA-96 (rectangular) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Composition | CMOS | — |
| קצב נתונים | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| השהיית CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| תכונות | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |