H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NDJR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NAFR-PBC بذریعہ SK hynix اور H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NDJR
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
انٹرفیس ٹائپ DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
پیکیج TFBGA-96 (rectangular) 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Number of Terminals 96 96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Composition CMOS —
ڈیٹا ریٹ — 3200 Mbps (DDR4-3200)
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
CAS لیٹنسی — 22 cycles (at 3200 Mbps)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant
خصوصیات — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں