H5AN8G6NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NCJR-PBC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

SK hynix
H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC ✓ সক্রিয়
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার H5AN8G6NCJR-PBC K4A8G165WC-BCRC
ব্র্যান্ড SK hynix Samsung Electro-Mechanics
ক্যাটাগরি Memory ICs EEPROM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস — In Stock
ইউনিট মূল্য (USD) — $19.69
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
মেমরি সাইজ 8 Gbit 8 Gbit
ডেটা রেট [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] 2400 Mbps
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
প্যাকেজ FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) 96-FBGA (TFBGA)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C 0 C to +95 C
ইন্টারফেস Parallel, synchronous to both clock edges Parallel, 16-bit DDR
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
সংগঠন — 512M x 16
Clock Frequency — 1333 MHz
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
বৈশিষ্ট্য — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট