H5AN8G6NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NCJR-PBC بذریعہ SK hynix اور K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NCJR-PBC K4A8G165WC-BCRC
برانڈ SK hynix Samsung Electro-Mechanics
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $19.69
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
میموری سائز 8 Gbit 8 Gbit
ڈیٹا ریٹ [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] 2400 Mbps
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) 96-FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C 0 C to +95 C
انٹرفیس Parallel, synchronous to both clock edges Parallel, 16-bit DDR
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
تنظیم — 512M x 16
Clock Frequency — 1333 MHz
سپلائی وولٹیج — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
خصوصیات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں