H5AN8G6NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G6NCJR-PBC tarafından SK hynix ve K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | H5AN8G6NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| Kategori | Memory ICs | EEPROM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | — | $19,69 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 8Gb x16 (512M x 16) | — |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Veri Hızı | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] | 2400 Mbps |
| Family Data Rate Range | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Paket | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) | 96-FBGA (TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C | 0 C to +95 C |
| Arayüz | Parallel, synchronous to both clock edges | Parallel, 16-bit DDR |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Özellikler | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |