H5AN8G6NDJR vs NT5AD512M16A4-GZ তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NDJR নির্দিষ্ট SK hynix ও NT5AD512M16A4-GZ নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G6NDJR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Nanya Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2V |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS লেটেন্সি | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | Four Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| বৈশিষ্ট্য | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| সর্বোচ্চ ক্লক ফ্রিকোয়েন্সি | — | 1200 MHz |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 16 bits |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |