H5AN8G6NDJR vs NT5AD512M16A4-GZ Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN8G6NDJR sa pamamagitan ng SK hynix at NT5AD512M16A4-GZ sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN8G6NDJR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Rate ng Data | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2V |
| Packhaging | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latensya ng CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | Four Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Mga Karakteristika | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | — | 1200 MHz |
| Width ng Data Bus | — | 16 bits |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |