H5AN8G6NDJR vs NT5AD512M16A4-GZ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NDJR द्वारा SK hynix और NT5AD512M16A4-GZ द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NDJR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| पैकेज | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS लेटेंसी | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | Four Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | — | 1200 MHz |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bits |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |