H5AN8G6NDJR vs NT5AD512M16A4-GZ 比較
詳細並排比較 H5AN8G6NDJR 由 SK hynix 與 NT5AD512M16A4-GZ 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | H5AN8G6NDJR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| 品牌 | SK hynix | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 組織 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 資料速率 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2V |
| 封裝 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS 延遲 | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | Four Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 功能特色 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| 最大時脈頻率 | — | 1200 MHz |
| 資料匯流排寬度 | — | 16 bits |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| 工作溫度範圍 | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |