H5AN8G8NAFR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G8NAFR-RDC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G085WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G8NAFR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| সংগঠন | 1G x 8 (x8) | 1G x 8 |
| ইন্টারফেস | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Speed Grade | -RDC (DDR4-2666 class) | — |
| ডেটা রেট | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Wordline Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Banks / Bank Groups | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] | 0C to +95C |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |