H5AN8G8NAFR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NAFR-RDC توسط SK hynix و K4A8G085WC-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NAFR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| سازمان | 1G x 8 (x8) | 1G x 8 |
| رابط | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Speed Grade | -RDC (DDR4-2666 class) | — |
| نرخ داده | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Wordline Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Banks / Bank Groups | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] | 0C to +95C |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |