H5AN8G8NAFR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G8NAFR-RDC bằng SK hynix và K4A8G085WC-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G8NAFR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Tổ chức | 1G x 8 (x8) | 1G x 8 |
| Giao diện | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Speed Grade | -RDC (DDR4-2666 class) | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Wordline Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Banks / Bank Groups | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Hộp | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] | 0C to +95C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |