H5AN8G8NAFR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G8NAFR-RDC بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WC-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G8NAFR-RDC K4A8G085WC-BCRC
برانڈ SK hynix Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
تنظیم 1G x 8 (x8) 1G x 8
انٹرفیس DDR4 (Double Data Rate 4) —
Speed Grade -RDC (DDR4-2666 class) —
ڈیٹا ریٹ 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) 2400 Mbps (DDR4-2400)
Core Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Wordline Supply (VPP) 2.5 V —
Banks / Bank Groups 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) —
Burst Length 8 (BL8) —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
پیکیج 78-ball FBGA 78-ball FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] 0C to +95C
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Terminal Pitch — 0.8 mm
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
Refresh — Auto/Self refresh

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں