IAUCN08S7L033ATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN08S7L033ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ0904NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN08S7L033ATMA1 BSZ0904NSIATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) [DATA_NEEDED: VGS max rating]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
প্যাকেজ PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) JEDEC qualified for target applications
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS (N-channel power MOSFET)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 4 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Power Dissipation at Ta — 2.1 W
Power Dissipation at Tc — 37 W
Integrated Schottky-like Diode — Yes (monolithic)
Avalanche Rated — 100% avalanche tested
Lead Plating — Pb-free
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট