IAUCN08S7L033ATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN08S7L033ATMA1 bằng Infineon và BSZ0904NSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN08S7L033ATMA1 | BSZ0904NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | JEDEC qualified for target applications |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS (N-channel power MOSFET) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 4 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 37 W |
| Integrated Schottky-like Diode | — | Yes (monolithic) |
| Avalanche Rated | — | 100% avalanche tested |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Đông trùng haogen | — | Yes |