IAUCN08S7L033ATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0904NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L033ATMA1 BSZ0904NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) [DATA_NEEDED: VGS max rating]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
Paket PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) JEDEC qualified for target applications
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS (N-channel power MOSFET)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 4 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Power Dissipation at Ta — 2.1 W
Power Dissipation at Tc — 37 W
Integrated Schottky-like Diode — Yes (monolithic)
Avalanche Rated — 100% avalanche tested
Lead Plating — Pb-free
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin