IAUCN08S7L033ATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon और BSZ0904NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN08S7L033ATMA1 BSZ0904NSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) [DATA_NEEDED: VGS max rating]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
पैकेज PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) JEDEC qualified for target applications
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS (N-channel power MOSFET)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 4 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Power Dissipation at Ta — 2.1 W
Power Dissipation at Tc — 37 W
Integrated Schottky-like Diode — Yes (monolithic)
Avalanche Rated — 100% avalanche tested
Lead Plating — Pb-free
हैलोजन फ्री — Yes

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