IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN10S5L280DATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN10S5L110TATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (junction) | — |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| MSL লেভেল | 1 | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |