IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Paket PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin