IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S5L280DATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN10S5L110TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | — |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| MSL لیول | 1 | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |