IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S5L280DATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN10S5L110TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | — |
| पिन काउंट | 8 | — |
| MSL स्तर | 1 | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |