IPB038N12N3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB038N12N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC039N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB038N12N3GATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (junction) | — |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +150C |
| প্যাকেজ | — | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| পিনের সংখ্যা | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |