IPB038N12N3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB038N12N3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC039N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB038N12N3GATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | — |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| पिन की संख्या | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |