IPB038N12N3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB038N12N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC039N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB038N12N3GATMA1 BSC039N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 120V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
Paket / Kas PG-TO263-3 (D2PAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 5 (TrenchFET-style)
Gate Drive Logic-level compatible —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Series — OptiMOS 5
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Paket — PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
Pin Sayısı — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin