IPB038N12N3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB038N12N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC039N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB038N12N3GATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| پیکیج / کیس | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | — |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| پنز کی تعداد | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |