IPB110P06LMATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB110P06LMATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPL65R115CFD7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPL65R115CFD7AUMA1 IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB110P06LMATMA1 IPL65R115CFD7AUMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) CoolMOS CFD7 (Superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C (TJ) -55 °C to +150 °C (TJ)
প্যাকেজ / কেস PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 24 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 144 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Body Diode — Integrated Fast Recovery
প্যাকেজ — PG-VSON-4 (VSON-4 EP)
MSL লেভেল — 1 (per JEDEC J-STD-020)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট