IPB110P06LMATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPL65R115CFD7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB110P06LMATMA1 | IPL65R115CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | CoolMOS CFD7 (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Paket / Kas | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 24 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 144 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Body Diode | — | Integrated Fast Recovery |
| Paket | — | PG-VSON-4 (VSON-4 EP) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |