IPB110P06LMATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL65R115CFD7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPL65R115CFD7AUMA1 IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB110P06LMATMA1 IPL65R115CFD7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) CoolMOS CFD7 (Superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (TJ) -55 °C to +150 °C (TJ)
پیکیج / کیس PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 24 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 144 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Body Diode — Integrated Fast Recovery
پیکیج — PG-VSON-4 (VSON-4 EP)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں