IPD046N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD046N08N5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB031N08N5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPB031N08N5ATMA1 - 80V 120A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB031N08N5ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD046N08N5ATMA1 | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| RoHS স্ট্যাটাস | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 167 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 3.1 mOhm (VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +175 C |
| প্যাকেজ | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) |
| Tab Connection | — | Drain (electrically connected to pin) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Arrow listing) |