IPD046N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD046N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB031N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD046N08N5ATMA1 | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| RoHS اسٹیٹس | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 167 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 3.1 mOhm (VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) |
| Tab Connection | — | Drain (electrically connected to pin) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Arrow listing) |