IPD046N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और IPB031N08N5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB031N08N5ATMA1 - 80V 120A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB031N08N5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD046N08N5ATMA1 | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 167 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 3.1 mOhm (VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |
| पैकेज | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) |
| Tab Connection | — | Drain (electrically connected to pin) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Arrow listing) |